[发明专利]半导体存储器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法，结构包括：半导体衬底、字线、位线接触点及位线，半导体衬底具有若干呈波浪型延伸的沟槽隔离结构，藉由沟槽隔离结构隔离出若干呈波浪型延伸的有源区；字线与有源区交叉，字线可包括实质字线及拟置字线，实质字线两侧缘的有源区中具有源区及漏区；位线接触点形成于漏区上；位线形成于位线接触点上，并与字线交叉。本发明形成波浪型的有源区及与有源区交叉的字线，拟置字线通入电压后，可以作为隔离沟槽，将有源区间隔成多个有源区单元。相比于传统的浅沟槽隔离结构，本发明的拟置字线可以大大缩小与所述拟置字线相邻的两根实质字线之间的间距。

主权项

1.一种半导体存储器件结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中形成若干呈波浪型延伸的沟槽隔离结构，藉由所述沟槽隔离结构于所述半导体衬底中隔离出若干呈波浪型延伸的有源区；2)于所述半导体衬底中形成字线，所述字线与所述有源区交叉，所述字线包括实质字线及拟置字线；3)于所述实质字线两侧缘的有源区中分别形成源区及漏区；4)于所述漏区上形成位线接触点；以及5)于所述位线接触点上形成位线，所述位线与所述字线交叉。