[发明专利]一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 201711441687.2 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108103580A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈广福;黎永涛;胡亦渊;牟中飞;李京波 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法，包括以下步骤：a)分别将二硫化锡粉末、硒粉和硫粉置于化学气相沉积管式炉的石英管内，所述硒粉和硫粉置于所述石英管的进气端，所述二硫化锡粉末置于所述石英管的中部；b)在惰性气体条件下，将管式炉升温至620～750℃，保温3～30分钟，生成二硫硒化锡单晶半导体材料。本发明以二硫化锡粉末、硒粉和硫粉为原料，利用化学气相沉积法在特定的环境和工艺条件下，沉积生成二硫硒化锡单晶半导体材料；所得半导体材料为二维超薄单晶材料，边长大小仅在几微米到几百微米，厚度仅为几纳米到几百纳米，打破了以往块体单晶的应用限制，能够应用于微纳电子器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶半导体材料 硫硒 硫化锡粉末 石英管 硫粉 硒粉 化学气相沉积 管式炉 制备 半导体材料 惰性气体条件 微纳电子器件 超薄单晶 工艺条件 块体单晶 进气端 边长 二维 沉积 保温 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)分别将二硫化锡粉末、硒粉和硫粉置于化学气相沉积管式炉的石英管内，所述硒粉和硫粉置于所述石英管的进气端，所述二硫化锡粉末置于所述石英管的中部；b)在惰性气体条件下，将管式炉升温至620～750℃，保温3～30分钟，生成二硫硒化锡单晶半导体材料。
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