[发明专利]一种多取向氧化物压电薄膜的制备方法及压电薄膜有效
| 申请号： | 201711442075.5 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108110134B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈显锋 | 申请（专利权）人： | 佛山市卓膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/39;C04B35/491;C04B35/622 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多取向氧化物压电薄膜的制备方法及压电薄膜，所述方法将制备的所述氧化物的溶胶‑凝胶液旋涂到基板上，然后进行90～330℃的加热处理使涂层形成非晶态固体层，在非晶态固体层表面涂上光刻胶，并进行图形化处理，再将结构材料放入等离子体处理设备中进行表面处理，除去光刻胶，最后对表面处理后的所述氧化物非晶态固体层进行600～750℃的高温处理，使之结晶，得所述压电薄膜成品；所述方法容易实现，制备的压电薄膜稳定性好，集成度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 氧化物 压电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多取向氧化物压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A.在基板上形成所述氧化物的非晶态固体层；B.在步骤A中形成的所述氧化物的非晶态固体层的表面上形成图形化掩盖物，对非晶态固体层的表面进行部分覆盖，然后对前述材料进行等离子体表面处理，表面处理完后去除所述非晶态固体层表面上的图形化掩盖物;C. 将经步骤B处理后的所述氧化物的非晶体固体层进行加热处理，得多取向结晶化氧化物压电薄膜。
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