[发明专利]一种浅PN结扩散技术

摘要

本发明涉及一种半导体工艺中一种浅PN结形成技术,‑‑即浅PN结扩散技术,所述的浅PN结扩散技术结合常规设备和工艺，采用先制备一层滿足一定厚度的薄二氧化硅阻挡层，再进行硼、磷等的扩散以形成浅PN结。

主权项

1.一种浅PN结扩散技术,其特征在于,所述的浅PN结扩散技术结合常规设备和工艺，采用先制备一层滿足一定厚度的薄二氧化硅阻挡层，再进行硼、磷等的扩散以形成浅PN结;所述的浅PN结扩散技术具体如下:(a)、设计得到浅结结深的二氧化硅阻挡层厚度xmin,，式中DSiO2为扩散杂质在二氧化硅中扩散系数、t为在扩散温度下热扩散时间，在后续的形成浅结的热扩散时间为t+△t,即式中的扩散时间t加上保证浅结结深所需的扩散时间△t,△t≈t(xpn/xmin)(DSiO2/DSi),式中xpn为浅PN结结深、DSiO2为在扩散温度下扩散杂质在二氧化硅中扩散系数、DSi为在扩散温度下扩散杂质在硅中扩散系数;(b)、要形成浅结的硅片上生成符合(a)所要求的一层厚度为xmin的二氧化硅层后和固态扩散杂质源，Si片和BN片相间放在石英舟上，放入石英管炉口通N2预烘30分，后推入扩散炉恒温区，恒温时以垂直流方式通 N2：O2=8.8：1.8气氛，在石英管进气端加上石英散流板避免气流喷射，能均匀地进入扩散区，例行地在石英舟两头放1-2片假片,气流流量参照Re＝（D－μρ）/w≤15估算，式中：Re为雷诺系数；D为石英管直径；μ为气体流平均流速；ρ为气体密度；w为气体粘滞系数。