[发明专利]MPS-FRD器件的加工方法在审
| 申请号： | 201711442696.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108172507A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李磊;姜梅;许生根;张莉 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/28;H01L21/329;H01L29/417;H01L29/47 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备方法，尤其是一种MPS‑FRD器件的加工方法，属于微电子的技术领域。本发明利用了肖特基区场氧阻挡阳极P型杂质离子注入，保护肖特基区场氧下方的半导体基板，通过孔刻蚀一次性刻蚀去除ILD介质层和肖特基区场氧，从而形成MPS‑FRD阳极P‑i‑N和schottky交错的形貌结构，在设置阳极金属层后能与P阱欧姆接触，而与元胞区的半导体基板为肖特基接触，工艺步骤简单，与现有工艺兼容，缩短加工周期，能减少光刻工艺，降低加工成本，提高MPS‑FRD产品品质。 1 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 场氧 半导体基板 阳极 刻蚀 加工 肖特基接触 阳极金属层 产品品质 工艺步骤 工艺兼容 光刻工艺 加工周期 欧姆接触 形貌结构 介质层 通过孔 一次性 元胞区 去除 制备 微电子 交错 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种MPS‑FRD器件的加工方法，其特征是，所述加工方法包括如下步骤：
步骤1、提供N导电类型的半导体基板(7)，并在所述半导体基板(7)的正面生长场氧层(8)；
步骤2、对覆盖在半导体基板(7)元胞区的场氧层(8)进行刻蚀，以得到半导体基板(7)元胞区上的肖特基区场氧；
步骤3、在上述半导体基板(7)正面的上方进行P型杂质离子的注入，推阱后，以得到位于元胞区的半导体基板(7)内的P阱(6)；
步骤4、在上述半导体基板(7)的上表面进行ILD介质淀积，以得到覆盖在半导体基板(7)正面以及肖特基区场氧上的ILD介质层(10)；
步骤5、对上述ILD介质层(10)进行刻蚀，以同时去除半导体基板(7)元胞区上的ILD介质层(10)以及肖特基区场氧；
步骤6、在上述元胞区的半导体基板(7)上设置阳极金属层(5)，所述阳极金属层(5)与半导体基板(7)内的P阱(6)欧姆接触，且阳极金属层(5)与元胞区的半导体基板(7)肖特基接触；
步骤7、对上述半导体基板(7)的背面进行所需的背面工艺，以得到所需的阴极金属层(4)。
2.根据权利要求1所述的MPS‑FRD器件的加工方法，其特征是：在进行背面工艺后，阴极金属层(4)与N+衬底(3)后面接触，N+衬底(3)通过N型缓冲层(2)与N型漂移层(1)连接，P阱(6)位于N型漂移层(1)内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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