[发明专利]利用真空蒸发镀膜可控制备结构梯度定向生长Sb-Bi-Te膜的方法有效
| 申请号： | 201711444500.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108103439B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 谭明;郝延明;谢宁;秦月婷;焦永芳;郭婷婷;李天晶 | 申请（专利权）人： | 天津科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 12107 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘英兰 |
| 地址： | 300222 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用真空蒸发镀膜可控制备结构梯度定向生长Sb‑Bi‑Te膜的方法，包括步骤：(1)将(Bi | ||
| 搜索关键词： | 定向生长 结构梯度 基底 沉积 真空蒸发镀膜 混合材料 可控制 制备 加热 压制 氮气 真空镀膜机 超声清洗 氮气吹干 输出电流 无水乙醇 真空室 质量比 丙酮 成块 放入 控温 块体 水中 钨舟 离子 电源 并用 室内 | ||
【主权项】：
1.一种利用真空蒸发镀膜可控制备结构梯度定向生长Sb-Bi-Te膜的方法，即利用真空蒸发镀膜可控制备结构梯度定向生长(Bi
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