[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711444580.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109980003B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部和隔离结构，隔离结构覆盖部分鳍部的侧壁；在隔离结构内形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁暴露出鳍部侧壁；形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，所述伪栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；形成伪栅极结构后，在伪栅极结构两侧的鳍部中形成第二凹槽，第二凹槽与第一凹槽连通，且第二凹槽底部与第一凹槽底部齐平；在第一凹槽和第二凹槽内形成源漏掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部和隔离结构，隔离结构覆盖部分鳍部的侧壁；在隔离结构内形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁暴露出鳍部侧壁；形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，所述伪栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；形成伪栅极结构后，在伪栅极结构两侧的鳍部中形成第二凹槽，第二凹槽与第一凹槽连通，且第二凹槽底部与第一凹槽底部齐平；在第一凹槽和第二凹槽内形成源漏掺杂层。
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