[发明专利]一种基于神经网络的存储模块、模组及数据处理方法有效
申请号: | 201711444685.9 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108038542B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 张睿 | 申请(专利权)人: | 上海闪易半导体有限公司 |
主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种基于神经网络的存储模块,由包括非易失性存储器的存储单元构成存储阵列,在存储阵列中,一方向上的存储器的一源漏极电连接第一电连线,另一方向上的存储器另一源漏极电连接第二电连线,第一电连线和所述第二电连线中的一个用于加载输入信号,输入信号可以用于表征神经网络中层的输入向量数值,由于非易失性存储器的存储特性,其存储数据即为存储器两源漏极之间的电导值,可以用于表征连接权重数值,那么,另一电连线上输出的输出信号即为进行矩阵运算后的数值。这样,通过该存储阵列可以完成神经网络中数据信号的处理、传输和存储,无需耗费数据存取时间,同时,可以有效地提高神经网络中矩阵运算规模和处理速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 神经网络 存储 模块 模组 数据处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于神经网络的存储模块,其特征在于,包括:由多个存储单元构成的存储阵列,每个存储单元包括非易失性存储器;在所述存储阵列中,第一方向上每一条非易失性存储器的第一源漏极电连接第一电连线,第二方向上每一条非易失性存储器的第二源漏极电连接第二电连线,第一方向或第二方向上每一条非易失性存储器的栅极电连接第三电连线;所述第一电连线和所述第二电连线中的一个用于加载输入信号,另一个的用于输出输出信号,所述输入信号用于表征神经网络中层的输入向量数值,所述非易失性存储器的存储数据用于表征所述层到下一层的连接权重数值。
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