[发明专利]半导体晶片的脱胶方法在审
| 申请号： | 201711445155.6 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979799A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 马岳 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C11D1/72;C11D3/08;C11D3/20;C11D3/24;C11D3/32;C11D3/36;C11D3/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的半导体晶片的脱胶方法，包括：第一次超声波清洗：将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗；浸泡脱胶：将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡：辛基酚聚氧乙烯醚8‑12％、水杨酸2‑5％、乙酰胺2‑5％、2‑羟基膦酰基乙酸4‑8％、硅酸钠5‑10％、葡萄糖酸钠4‑6％、乙醇6‑10％、异丙醇2‑6％、三氯乙烯3‑9％、余量为去离子水；以及第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗。该方法能高效去除半导体晶片上的胶体，保证半导体晶片表面无花片、崩边、缺口等，提高半导体晶片的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶片 超声波清洗 脱胶 水中 浸泡 清洗剂 辛基酚聚氧乙烯醚 半导体晶片表面 羟基膦酰基乙酸 表面活性剂 葡萄糖酸钠 重量百分比 去离子水 三氯乙烯 成品率 硅酸钠 水杨酸 乙酰胺 异丙醇 崩边 花片 乙醇 去除 离子 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的脱胶方法，包括以下步骤：第一次超声波清洗：将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗；浸泡脱胶：将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡：辛基酚聚氧乙烯醚8‑12％、水杨酸2‑5％、乙酰胺2‑5％、2‑羟基膦酰基乙酸4‑8％、硅酸钠5‑10％、葡萄糖酸钠4‑6％、乙醇6‑10％、异丙醇2‑6％、三氯乙烯3‑9％、余量为去离子水；以及第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
