[发明专利]对腔室部件进行涂层的方法和用于处理腔室的腔室部件有效
申请号: | 201711448017.3 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN108179401B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | D·芬威克;J·Y·孙 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40;C23C16/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨学春;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及一种方法以及腔室部件。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的额外氧化物或额外氟化物的至少一个第二膜层,其中该多组分涂层组成物选自由YO |
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搜索关键词: | 部件 进行 涂层 方法 用于 处理 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:使用第一重复次数的原子层沉积工艺将氧化钇的第一膜层沉积到用于处理腔室的腔室部件的表面上;使用第二重复次数的所述原子层沉积工艺将氧化锆的第二膜层沉积到所述腔室部件的所述表面上;使包括所述第一膜层和所述第二膜层的所述腔室部件退火从而使所述第一膜层和所述第二膜层互相扩散并形成包含互相扩散的YZrxOy固态相的涂层,其中x和y具有基于用于沉积所述第一膜层的所述第一重复次数的所述原子层沉积工艺和用于沉积所述第二膜层的所述第二重复次数的所述原子层沉积工艺的值。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的