[发明专利]一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法及稀土磁体

摘要

本发明公开一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法及稀土磁体。该方法包括步骤：将RE1‑y‑zAlyMz合金粉末中的一种或RE1‑y‑zAlyMz合金粉末中的多种混合作为涂覆粉末，RE1‑y‑zAlyMz合金包含非晶相；将涂覆粉末与有机液体、粘结剂混合均匀，获得涂料；将涂料涂覆到钕铁硼磁体的表面；将涂覆后的磁体放入真空炉中，在400～600℃进行热处理；将热处理后的磁体在800～950℃进行晶界扩散处理；将晶界扩散后的磁体在450～600℃进行回火处理，获得稀土磁体。本发明的钕铁硼磁体晶界扩散的方法，可缩小多个稀土磁体间矫顽力的误差范围，实现钕铁硼磁体矫顽力提高值的可调控。

主权项

1.一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法，其特征在于，包括步骤：A、将RE_1‑y‑zAl_yM_z合金粉末中的一种或RE_1‑y‑zAl_yM_z合金粉末中的多种混合作为涂覆粉末，所述涂覆粉末的平均粒度D50为1～10μm；所述RE_1‑y‑zAl_yM_z合金中RE为Pr、Gd、Ho、Er、Dy、Tb元素中的一种或多种，M为Fe、Co、Ni、Cu中的一种或者多种，所述RE_1‑y‑zAl_yM_z合金包含非晶相；B、将所述涂覆粉末与有机液体、粘结剂混合均匀，获得涂料；C、将所述涂料涂覆到钕铁硼磁体的表面；D、将涂覆后的磁体放入真空炉中，在400～600℃进行热处理；E、将热处理后的磁体在800～950℃进行晶界扩散处理；F、将晶界扩散后的磁体在450～600℃进行回火处理，获得稀土磁体。