[发明专利]一种化合物半导体HBT器件的补偿式制作方法

摘要

本发明公开了一种化合物半导体HBT器件的补偿式制作方法，将光罩图形设计为与预设基极台阶图形匹配的预设部分以及由预设部分的顶角向外延伸形成的补偿部分，然后以此光罩对已完成部分器件制程的晶圆结构进行曝光、显影形成相应的遮蔽层，进行湿法蚀刻以形成基极台阶，借由补偿部分的补偿作用可以得到与预设基极台阶图形一致的基极台阶，避免过度腐蚀而造成的图形异常的问题。在实现可靠性的前提下可将基极台阶边缘与基极金属边缘的距离缩小至0.3μm，实现了器件小型化。

主权项

1.一种化合物半导体HBT器件的补偿式制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供已完成部分器件制程的晶圆结构，所述晶圆结构包括基极外延、发射极平台和基极金属，所述发射极平台和基极金属设于基极外延上且基极金属绕设于发射极平台外侧；2)提供光罩，光罩图形包括与预设基极台阶图形匹配的预设部分以及由预设部分的顶角向外延伸形成的补偿部分；3)于所述晶圆结构表面形成光阻层，采用所述光罩曝光、显影后形成与光罩图形对应的遮蔽层；4)对所述基极外延进行湿法蚀刻以形成基极台阶。