[发明专利]平面雪崩光电二极管

摘要

一种平面雪崩光电二极管，包括：第一半导体层、倍增层、电荷控制层、第二半导体层、梯度吸收层、阻挡层以及第二接触层。倍增层位于电荷控制层和第一半导体层之间。电荷控制层位于第二半导体层和倍增层之间。第二半导体层位于电荷控制层和梯度吸收层之间。梯度吸收层位于第二半导体层和阻挡层之间。

主权项

1.一种雪崩光电二极管，包括：第一半导体层；与所述第一半导体层相邻的倍增层；与所述倍增层相邻、与所述第一半导体层相对的电荷控制层；第二半导体层，所述第二半导体层是低掺杂的或非故意掺杂的，所述第二半导体层与所述电荷控制层相邻，其中所述第二半导体层在所述电荷控制层的与所述倍增层相对的一侧；梯度吸收层，与所述第二半导体层相邻，其中所述梯度吸收层在所述第二半导体层的与所述第一半导体层相对的一侧，所述梯度吸收层是掺杂的并且与所述第二半导体层直接接触；以及阻挡层，定位为与所述梯度吸收层相邻，其中所述阻挡层在所述梯度吸收层的与所述第二半导体层相对的一侧，所述阻挡层与所述梯度吸收层直接接触，并且其中所述梯度吸收层被刻蚀以在与所述梯度吸收层直接接触的所述第二半导体层的顶部上限定小面积吸收区域，并且所述梯度吸收层的截面宽度小于所述电荷控制层和倍增层的截面宽度，其中所述电荷控制层和倍增层的截面宽度基本相等。