[发明专利]均匀半导体纳米线和纳米片发光二极管有效
| 申请号： | 201711452325.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109411574B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | D·K·纳亚克;S·R·班纳;A·P·雅各布 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及均匀半导体纳米线和纳米片发光二极管。本公开涉及半导体结构，并且更具体地涉及均匀半导体纳米线和纳米片发光二极管及其制造方法。该结构包括缓冲层；在所述缓冲层上的至少一个电介质层，所述至少一个电介质层具有暴露所述缓冲层的多个开口；以及形成在所述开口中并且在所述至少一个电介质层上方延伸的多个尺寸和形状均匀的纳米线或纳米片。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 半导体 纳米 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：缓冲层；位于所述缓冲层上的至少一个电介质层，所述至少一个电介质层具有暴露所述缓冲层的多个开口；以及形成在所述开口中并在所述至少一个电介质层上方延伸的多个尺寸和形状均匀的纳米线或纳米片。
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