[发明专利]芯片温度计算方法及芯片温度计算装置有效
| 申请号： | 201711453506.8 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109933488B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 简恒杰;吴升财;戴明吉;沈志明 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G06F11/30 | 分类号： | G06F11/30;G06F30/367;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种芯片温度计算方法及芯片温度计算装置。温度计算方法包括：计算芯片的上层热阻及下层热阻，计算芯片的整体热阻，并根据整体热阻计算芯片的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 温度 计算方法 计算 装置 | ||
【主权项】：
1.一种芯片温度计算方法，适用于计算封装架构内的芯片的温度，该封装架构包括该芯片、该芯片的至少一上层及该芯片的多个下层，其特征在于，该芯片温度计算方法包括：计算对应该至少一上层的上层热阻及对应该些下层的下层热阻；以及根据该上层热阻及该下层热阻计算该芯片的整体热阻，并根据该整体热阻计算该芯片的温度，其中计算该下层热阻的步骤包括：建立每一该些下层的热阻性能数据库及等效材料参数；获得该些下层的第N层的边界条件；以及根据该第N层的该边界条件、该等效材料参数及该第N层的该热阻性能数据库获得该第N层的热阻，并将该第N层的热阻转换成该些下层的第N+1层的该边界条件，其中该第N层与该芯片的距离比该第N+1层与该芯片的距离远。
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