[发明专利]瞬间电压抑制装置

摘要

本发明实施例提供一种瞬间电压抑制装置。上述瞬间电压抑制装置包括基板、设置于基板上的第一导电型态的第一半导体层、设置于第一半导体层上的第二导电型态的第二半导体层、设置于第二半导体层中的第一导电型态的第一阱及第二阱。第二阱与第一阱相邻设置但彼此分离。上述瞬间电压抑制装置亦包括设置于第一阱与第二阱之间且延伸进入第一阱与第二阱中的第二导电型态的第一重掺杂区、设置于第一重掺杂区下的第一阱中的第一导电型态的第二重掺杂区以及设置于第一重掺杂区下的第二阱中的第一导电型态的第三重掺杂区。本发明可降低瞬间电压抑制装置的骤回电压，进一步提高二次崩溃电流。

主权项

1.一种瞬间电压抑制装置，其特征在于，包括：一基板；一第一半导体层，具有一第一导电型态且设置于该基板上；一第二半导体层，具有一第二导电型态且设置于该第一半导体层上，其中该第二导电型态相反于该第一导电型态；一第一阱，具有该第一导电型态且设置于该第二半导体层中；一第二阱，具有该第一导电型态且设置于该第二半导体层中，其中该第二阱与该第一阱相邻设置但彼此分离；一第一重掺杂区，具有该第二导电型态且设置于该第一阱与该第二阱之间且延伸进入相邻两侧的该第一阱与该第二阱中，其中该第一重掺杂区的底部高于该第一阱与该第二阱的底部；一第二重掺杂区，具有该第一导电型态且设置于该第一重掺杂区下的该第一阱中；以及一第三重掺杂区，具有该第一导电型态且设置于该第一重掺杂区下的该第二阱中。