[发明专利]CoolMOS结构在审
| 申请号： | 201711455438.9 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980008A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 沈立;陆宇;周润宝;沈金龙;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司;上海芯哲微电子科技股份有限公司;上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CoolMOS结构，用以提高击穿电压，其中所述为该CoolMOS的制作结构，包括漂移区以及漂移区掺杂浓度的情况。该漂移区的掺杂浓度情况由虚线标出。该方法包括该漂移区制作的步骤，以及在漂移区制作的过程中调节漂移区的掺杂浓度而使其达到提高击穿电压的目的。该方法在不增加掩模板以及制造成本的前提下，提出一种新的方法来提高VDMOS的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 击穿电压 掺杂 制作 制造成本 掩模板 | ||
【主权项】：
1.一种CoolMOS结构，包括漂移区以及漂移区中掺杂浓度的分布情况，漂移区是由多次淀积外延层得到的，其特征在于在淀积外延层的时候调节外延层的电阻。
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