[发明专利]一种光学检测系统有效
申请号: | 201711455995.0 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108172527B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 马洪涛;金辉;李旭;韩冰;鞠德涵 | 申请(专利权)人: | 佛山长光智能制造研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/00;G01B11/02 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 曹卫良 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区桂城街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种光学检测系统,所述光学检测系统包括:成像子系统以及测距子系统;其中,所述成像子系统用于通过第一光路获取芯片位置图像信息,以及通过第二光路获取基板位置图像信息;所述测距子系统用于获取至少三个不同位置处所述芯片和所述基板之间的距离信息。该光学检测系统首先使得封装的芯片和基板在同视窗内成像,对芯片和基板的位置进行初步调整,然后采用高分辨率显微成像突破衍射极限的方式进行能量探测,依据激光共聚焦原理,使得芯片和基板之间的距离测量精确度为0.1μm,极大程度的提高了芯片封装的成品率,且结构简单,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 光学 检测 系统 | ||
其中,所述成像子系统用于通过第一光路获取芯片位置图像信息,以及通过第二光路获取基板位置图像信息;
所述测距子系统用于获取至少三个不同位置处所述芯片和所述基板之间的距离信息。
2.根据权利要求1所述的光学检测系统,其特征在于,所述第一光路上设置有第一半反半透镜、第二半反半透镜、第一反射镜以及第一显微物镜;其中,通过所述第一显微物镜的光经过所述第一反射镜进行垂直反射,再依次透过所述第二半反半透镜和所述第一半反半透镜在所述成像子系统中进行成像。
3.根据权利要求2所述的光学检测系统,其特征在于,所述第一显微物镜为数值孔径0.35的显微物镜。4.根据权利要求2所述的光学检测系统,其特征在于,所述第二光路上设置有第二反射镜、第三半反半透镜、五棱镜以及第二显微物镜;其中,通过所述第二显微物镜的光经过所述五棱镜进行多次反射,形成与入射光垂直的光,再透过所述第三半反半透镜,再经过所述第二反射镜进行垂直反射至所述第一半反半透镜上,再通过所述第一半反半透镜进行垂直反射至所述成像子系统中进行成像。
5.根据权利要求4所述的光学检测系统,其特征在于,所述第二显微物镜为数值孔径0.35的显微物镜。6.根据权利要求4所述的光学检测系统,其特征在于,所述测距子系统包括:第一半反半透棱镜、第二半反半透棱镜、第三半反半透棱镜、第一激光光源、第二激光光源、第一星孔光电池以及第二星孔光电池;其中,所述第一激光光源发射出的光通过所述第一半反半透棱镜垂直反射至所述第二半反半透镜,经过所述第二半反半透镜垂直反射至所述第一反射镜,再经过所述第一反射镜垂直反射,以通过所述第一显微物镜至所述芯片上的预设位置;经过所述芯片反射回来的光通过所述第一显微物镜,经过所述第一反射镜垂直反射至所述第二半反半透镜,再经过所述第二半反半透镜垂直反射并透过所述第一半反半透棱镜,再经过所述第三半反半透棱镜进行垂直反射至所述第一星孔光电池上;
所述第二激光光源发射出的光通过所述第二半反半透棱镜垂直反射至所述第三半反半透镜,经过所述第三半反半透镜垂直反射至所述五棱镜,经过所述五棱镜进行多次反射,形成与入射光垂直的光,以通过所述第二显微物镜至所述基板上的预设位置;经过所述基板反射回来的光通过所述第二显微物镜,经过所述五棱镜的多次反射,再经过所述第三半反半透镜垂直反射并透过所述第二半反半透棱镜,再经过所述第三半反半透棱镜进行垂直反射至所述第二星孔光电池上。
7.根据权利要求6所述的光学检测系统,其特征在于,所述第一激光光源的波长为630nm‑635nm,包括端点值,所述第二激光光源的波长为630nm‑635nm,包括端点值。8.根据权利要求6所述的光学检测系统,其特征在于,所述第一星孔光电池的孔直径为0.004mm‑0.006mm,包括端点值,所述第二星孔光电池的孔直径为0.004mm‑0.006mm,包括端点值。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山长光智能制造研究院有限公司,未经佛山长光智能制造研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造