[发明专利]衬底掏空的层叠电感结构及其实现方法在审
| 申请号： | 201711456523.7 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979912A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 沈立;陆宇;周润宝;沈金龙;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司;上海芯哲微电子科技股份有限公司;上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种优化的衬底掏空的层叠电感结构，具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括：多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间，其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成，这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构，这样就减小了寄生电容的影响，扩展了电感的工作频带，以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 层叠电感 互连结构 悬浮结构 介质层 衬底 掏空 多层金属并联 金属螺旋形状 多层金属 范围改善 工作频带 寄生电容 螺旋导线 螺旋电感 串并联 低频带 高频带 硅衬底 金属层 螺旋面 上平面 插塞 减小 刻蚀 优化 兼容 外围 | ||
【主权项】：
1.一种优化的衬底掏空的层叠电感结构，包括：衬底、金属螺旋电感、位于衬底上的多层介质层，其特征在于，还包括多层金属互连结构和一个悬浮结构；其中悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间部位进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构。
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