[发明专利]一种制备W和N共掺杂类金刚石薄膜的方法在审
| 申请号： | 201711456568.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108085642A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;沈洪雪;姚婷婷;杨勇;金克武 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 尹杰 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备W和N共掺杂类金刚石薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、对衬底材料进行超声波清洗；步骤二、把样品置于样品台上；步骤三、抽真空，真空度达到2.5*10‑4‑3.5*10‑4时，通入氩气，使W、C两靶同时起辉，并进行8‑12分钟的预溅射；步骤四、通过氩气轰击W、C两靶材；步骤五、通入氮气，启动旋转样品台，制备W、N共掺杂类金刚石薄膜。本发明的优点：类金刚石薄膜通过W、N的共掺杂，在制备得到高电阻率、高透过率N掺杂类金刚石薄膜的同时，W的掺入既可与薄膜中多余的C反应生成WC，又进一步提高了薄膜的润滑性能，同时对薄膜的高透、高阻性能也有进一步的提升作用。 | ||
| 搜索关键词： | 类金刚石薄膜 共掺杂 制备 薄膜 氮气 样品置于样品 超声波清洗 旋转样品台 氩气 衬底材料 高电阻率 高透过率 润滑性能 氩气轰击 抽真空 预溅射 靶材 掺入 高阻 起辉 | ||
【主权项】：
1.一种制备W和N共掺杂类金刚石薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、对衬底材料进行超声波清洗，去除表面油污和杂质；步骤二、把样品置于360°无死角旋转的样品台上；步骤三、启动设备，抽真空，真空度达到2.5*10-4 -3.5*10-4 时，通入氩气，使W、C两靶同时起辉，并进行8-12分钟的预溅射，活化靶材和去除表层氧化物；步骤四、通过氩气轰击W、C两靶材，活化靶材和去除表层氧化物；步骤五、通入氮气，启动旋转样品台，制备W、N共掺杂类金刚石薄膜。
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