[发明专利]一种流量控制方法及流量控制装置有效
| 申请号： | 201711456622.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198771B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吴华德;熊光涌;蒋方丹;邢国强;王栩生 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种流量控制方法及流量控制装置，该流量控制方法包括：获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数；根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及当前扩散工艺的运行序数，得到当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值；按照当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值，向扩散炉输入小氮。本发明实施例提供的流量控制方法不需要进行人工调节，有利于自动化生产，解决了现有技术中向扩散炉中通入恒定流量的小氮，再通过调节推进温度调节方阻，增加人力成本但得到的硅片方阻波动大，批次间硅片方阻均匀性差的问题，实现节约人力成本，批次间硅片方阻值均匀性良好的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 流量 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种流量控制方法，其特征在于，包括：获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数；根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及所述当前扩散工艺的运行序数，得到当前执行所述扩散工艺所需要的小氮流量值；按照所述当前执行所述扩散工艺所需要的小氮流量值，向所述扩散炉输入小氮。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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