[发明专利]一种低单粒子敏感性的抗SEU存储单元电路有效
| 申请号： | 201711457440.X | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108766492B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 胡春艳;陆时进;李阳;刘琳;张晓晨 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 胡健男 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低单粒子敏感性的抗SEU存储单元电路，包括：存储电路、反馈电路和存取电路；存储电路用于存储抗SEU存储单元电路的数据信息，反馈电路能够在存储电路发生翻转后进行反馈，恢复存储电路的数据信息，存取电路用于外部对抗SEU存储单元电路的读写操作访问。针对低纳米工艺下的单粒子翻转问题，该结构保证了至少两个节点不发生翻转，并通过反馈回路将翻转节点恢复，实现了单节点翻转(SE‑SNU)全加固能力。当发生多节点翻转时，考虑两节点发生电荷共享效应被打翻而使得单元翻转的情况，电路具有更少的敏感节点对，是常用加固结构DICE单元敏感节点对数的一半，具有更低的单粒子敏感性，可有效缓解单粒子多节点翻转问题，提高单元的抗辐射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 敏感性 seu 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
1.一种低单粒子敏感性的抗SEU存储单元电路，其特征在于，包括：存储电路、反馈电路和存取电路；存储电路用于存储抗SEU存储单元电路的数据信息，反馈电路能够在抗SEU存储单元电路的存储电路发生翻转后进行反馈，恢复存储电路的数据信息，存取电路用于外部对抗SEU存储单元电路的读写操作访问。
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