[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201711457804.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198861A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 安喜锋 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板表面的遮光层、设置在所述衬底基板和所述遮光层上方的缓冲层、设置在所述缓冲层表面的多晶硅层；其中，所述多晶硅层由晶块组成，相邻的所述晶块之间存在凸起的晶界，所述晶界与所述多晶硅层的边界相垂直，所述晶界所在的直线与所述遮光层边界所在的直线为异面直线。本发明提供了一种薄膜晶体管，在多晶硅层跨过遮光层时，通过设置所述多晶硅层的晶界与所述遮光层边界异面，避免晶块之间出现较大沟道进而导致薄膜晶体管器件电阻过大，从而提高了薄膜晶体管的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 遮光层 薄膜晶体管 晶界 衬底基板 晶块 薄膜晶体管器件 缓冲层表面 导电性能 异面直线 缓冲层 电阻 沟道 凸起 异面 跨过 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：衬底基板，设置在所述衬底基板表面的遮光层、设置在所述衬底基板和所述遮光层上方的缓冲层、设置在所述缓冲层表面的多晶硅层；其中，所述多晶硅层由晶块组成，相邻的所述晶块之间存在凸起的晶界，所述晶界与所述多晶硅层的边界相垂直，所述晶界所在的直线与所述遮光层边界所在的直线为异面直线。
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