[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

摘要

本发明提供基板处理方法，包括：基板保持工序，使基板保持单元将基板保持为水平；密闭工序，在将保持有基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下密闭内部空间；液膜形成工序，对基板的上表面供给用于处理基板的上表面的处理液，在基板上形成处理液的液膜；加压工序，通过对内部空间供给气体，对内部空间加压直至内部空间的压力为高于大气压的第一压力；加热工序，加热基板，使得在内部空间的压力达到第一压力的状态下在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层；液膜排除工序，通过一边维持在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层的状态，一边对内部空间减压直至内部空间的压力为小于第一压力的第二压力，使处理液蒸发，从基板上排除液膜。

主权项

1.一种基板处理方法，其中，包括：基板保持工序，使用于将基板保持为水平的基板保持单元保持所述基板；密闭工序，在将保持有所述基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下，密闭所述内部空间；液膜形成工序，通过对保持为水平的所述基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层；以及液膜排除工序，通过一边维持在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，使所述处理液蒸发，从所述基板上排除所述液膜。