[发明专利]IGBT半导体结构

摘要

IGBT半导体结构(10)具有p+衬底(24)，n‑层(28)，至少一个在所述n‑层(28)邻接的p区域(32)和至少一个在所述p区域(32)处邻接的n+区域(34)，其分别包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，介电层(20)和三个连接接通部(14,16,18)，其中，所述p区域(32)与所述n‑层(28)形成第一pn结(36)，并且所述n+区域(34)与所述至少一个p区域(32)形成第二pn结(38)，所述介电层(20)覆盖所述第一pn结(36)和所述第二pn结(38)，所述第二连接接通部(16)形成在所述介电层(20)上的场板，并且在所述p+衬底(24)和所述n‑层(28)之间布置有经掺杂的中间层(26)，所述中间层具有1微米至50微米的层厚度(D3)和1012‑1017N/cm3的掺杂剂浓度，其中，所述中间层(26)至少与所述p+衬底(24)材料锁合地连接。

主权项

1.一种IGBT半导体结构(10)，其具有上侧(12)和下侧(22)，所述IGBT半导体结构具有：‑构造在所述IGBT半导体结构(10)的下侧(22)处的p+衬底(24)，该p+衬底具有5*1018‑5*1020N/cm3的掺杂剂浓度、50‑500微米的层厚度(D1)并且包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，‑n‑层(28)，其具有1012‑1017N/cm3的掺杂剂浓度、10‑300微米的层厚度(D2)并且包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，‑邻接所述n‑层(28)的至少一个p区域(32)，所述p区域具有1014‑1018N/cm3的掺杂剂浓度并且包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，‑邻接所述p区域(32)的至少一个n+区域(34)，所述n+区域具有至少1019N/cm3的掺杂剂浓度并且包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，‑介电层(20)，‑与所述IGBT半导体结构(10)的下侧(22)导电连接的第一连接接通部(14)，所述第一连接接通部包括金属或金属化合物，或者由金属或金属化合物构成，‑第二连接接通部(16)和第三连接接通部(18)，所述第二连接接通部和第三连接接通部分别包括金属或金属化合物，或者由金属或金属化合物构成，其中，‑所述至少一个p区域(32)与所述n‑层(28)形成第一pn结(36)，‑所述至少一个n+区域(34)与所述至少一个p区域(32)形成第二pn结(38)，‑所述介电层(20)至少覆盖所述第一pn结(36)和所述第二pn结(38)，并且与所述n‑层(28)、所述p区域(32)以及所述n+区域(34)材料锁合地连接，‑所述第二连接接通部(16)在所述介电层(20)上构造为场板，并且‑所述第三连接接通部(18)与所述至少一个p区域(32)以及至少一个n+区域(34)导电连接，其特征在于，在所述p+衬底(24)与所述n‑层(28)之间布置有经掺杂的中间层(26)，所述经掺杂的中间层具有1微米至50微米的层厚度(D3)以及1012‑1017N/cm3的掺杂剂浓度，其中，所述中间层(26)至少与所述p+衬底(24)材料锁合地连接。