[发明专利]IGBT半导体结构在审

专利信息
申请号: 201711458322.0 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108258030A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: V·杜德克 申请(专利权)人: 3-5电力电子有限责任公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: IGBT半导体结构(10)具有p+衬底(24),n‑层(28),至少一个在所述n‑层(28)邻接的p区域(32)和至少一个在所述p区域(32)处邻接的n+区域(34),其分别包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成,介电层(20)和三个连接接通部(14,16,18),其中,所述p区域(32)与所述n‑层(28)形成第一pn结(36),并且所述n+区域(34)与所述至少一个p区域(32)形成第二pn结(38),所述介电层(20)覆盖所述第一pn结(36)和所述第二pn结(38),所述第二连接接通部(16)形成在所述介电层(20)上的场板,并且在所述p+衬底(24)和所述n‑层(28)之间布置有经掺杂的中间层(26),所述中间层具有1微米至50微米的层厚度(D3)和1012‑1017N/cm3的掺杂剂浓度,其中,所述中间层(26)至少与所述p+衬底(24)材料锁合地连接。
搜索关键词: 介电层 中间层 衬底 半导体结构 邻接 接通 材料锁合 层厚度 掺杂的 掺杂剂 地连接 场板 覆盖
【主权项】:
1.一种IGBT半导体结构(10),其具有上侧(12)和下侧(22),所述IGBT半导体结构具有:‑构造在所述IGBT半导体结构(10)的下侧(22)处的p+衬底(24),该p+衬底具有5*1018‑5*1020N/cm3的掺杂剂浓度、50‑500微米的层厚度(D1)并且包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成,‑n‑层(28),其具有1012‑1017N/cm3的掺杂剂浓度、10‑300微米的层厚度(D2)并且包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成,‑邻接所述n‑层(28)的至少一个p区域(32),所述p区域具有1014‑1018N/cm3的掺杂剂浓度并且包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成,‑邻接所述p区域(32)的至少一个n+区域(34),所述n+区域具有至少1019N/cm3的掺杂剂浓度并且包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成,‑介电层(20),‑与所述IGBT半导体结构(10)的下侧(22)导电连接的第一连接接通部(14),所述第一连接接通部包括金属或金属化合物,或者由金属或金属化合物构成,‑第二连接接通部(16)和第三连接接通部(18),所述第二连接接通部和第三连接接通部分别包括金属或金属化合物,或者由金属或金属化合物构成,其中,‑所述至少一个p区域(32)与所述n‑层(28)形成第一pn结(36),‑所述至少一个n+区域(34)与所述至少一个p区域(32)形成第二pn结(38),‑所述介电层(20)至少覆盖所述第一pn结(36)和所述第二pn结(38),并且与所述n‑层(28)、所述p区域(32)以及所述n+区域(34)材料锁合地连接,‑所述第二连接接通部(16)在所述介电层(20)上构造为场板,并且‑所述第三连接接通部(18)与所述至少一个p区域(32)以及至少一个n+区域(34)导电连接,其特征在于,在所述p+衬底(24)与所述n‑层(28)之间布置有经掺杂的中间层(26),所述经掺杂的中间层具有1微米至50微米的层厚度(D3)以及1012‑1017N/cm3的掺杂剂浓度,其中,所述中间层(26)至少与所述p+衬底(24)材料锁合地连接。
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