[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其为沟槽栅型半导体装置，能够充分消除耐压与通态电压的折中，还能够降低反馈电容。半导体装置具有：半导体基板，其层叠有第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、以及第四半导体区域；绝缘膜，其配置于从第四半导体区域的上表面延伸并贯通第四半导体区域以及第三半导体区域而到达第二半导体区域的槽的内壁上；控制电极，其在槽的侧面与第三半导体区域的侧面对置地配置于绝缘膜上；第一主电极，其与第一半导体区域电连接；第二主电极，其与第三半导体区域以及第四半导体区域电连接；以及底面电极，其在槽的底面与控制电极间隔开地配置于绝缘膜之上，并与第二主电极电连接，在俯视观察时，槽在延伸方向上的长度在槽的宽度以上，且槽的宽度比相邻的槽之间的间隔大。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，其配置于所述第一半导体区域之上；第一导电型的第三半导体区域，其配置于所述第二半导体区域之上；第二导电型的第四半导体区域，其配置于所述第三半导体区域之上；绝缘膜，其配置于从所述第四半导体区域的上表面延伸并贯通所述第四半导体区域以及所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域的槽的内壁上；控制电极，其在所述槽的侧面配置于所述绝缘膜上，并与所述第三半导体区域对置；第一主电极，其与所述第一半导体区域电连接；以及第二主电极，其与所述第四半导体区域电连接，所述槽的宽度相对于所述第三半导体区域的与所述第二主电极接触的宽度之比为1以上，所述半导体装置具有连接槽，所述连接槽在包围活性区域的外周区域内将所述槽彼此连接，并且所述连接槽是遍及整体而比相邻的所述槽的间隔窄的槽宽，所述第四半导体区域不沿着所述连接槽设置，在所述连接槽的下方且在所述第二半导体区域的下方的区域中设置有所述第一半导体区域。