[发明专利]半导体元件的密孔图案形成方法有效
| 申请号： | 201711459215.X | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427555B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 施信益;黄仁瑞 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件的密孔图案形成方法，其包含：在设置于基材上的至少一个下硬遮罩层上形成多个第一柱体；在下硬遮罩层上形成间隔层以形成多个第二柱体分别覆盖第一柱体，其中多个第一孔洞形成于第二柱体之间；蚀刻间隔层以经由第一孔洞暴露出下硬遮罩层的第一部位，以及暴露出第一柱体的顶面；移除第一柱体以形成多个第二孔洞于间隔层，进而暴露出下硬遮罩层的第二部位；蚀刻下硬遮罩层的第一部位与第二部位；以及移除间隔层的残留部位。借此，可有效地形成具有小于微影工艺的最小解析度的节距或直径的密孔图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
