[发明专利]一种垂直结构的发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711460136.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108281522A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 徐晓丽;朱酉良;王亚洲 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/46;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直结构的发光二极管及其制备方法，包含依次生成的外延层、ITO层、反射层和金属势垒层；所述的外延层由N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层依次生成；所述的N‑GaN层上制备N‑电极；其中，在所述的外延层和ITO层之间还生成有绝缘层，该绝缘层图形化生长在P‑GaN层上。本发明通过生成在外延层和ITO层之间的绝缘层形成较大电阻，使电流更好的从N‑电极处扩展出去，解决电流拥堵的问题，改善漏蓝情况，形成不同折射率的叠层膜以提高发光二极管的亮度；并且可避免刻蚀到金属势垒层的情况发生，有效提高发光二极管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延层 制备 金属势垒层 垂直结构 电极 绝缘层 多量子阱层 绝缘层图形 绝缘层形成 电流拥堵 大电阻 叠层膜 反射层 折射率 刻蚀 生长 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构的发光二极管，包含依次生成的外延层、ITO层、反射层和金属势垒层；所述的外延层由N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层依次生成；所述的N‑GaN层上制备N‑电极；其特征在于，在所述的外延层和ITO层之间还生成有绝缘层，该绝缘层图形化生长在P‑GaN层上。
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