[发明专利]SiC基复相陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201711460400.0 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN109020552B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 刘荣军;孙海侠;贺鹏博;曹英斌;王衍飞;郭棒 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | C04B35/573 | 分类号: | C04B35/573;C04B35/622;C04B35/634 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 张鲜 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种SiC基复相陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)将混合原料、分散剂、固化交联剂和酒精经机械搅拌,得到混合浆料,所述混合原料由炭黑、石墨和α‑SiC陶瓷粉组成;(2)将步骤(1)所得的混合浆料干燥、粉碎,得到混合粉末;(3)将步骤(2)所得的混合粉末经模压成型,再等静压成型,最后固化交联,得到成型素坯;(4)对步骤(3)所得的成型素坯进行气相渗硅烧结,得到SiC基复相陶瓷。该制备方法操作简单、工艺要求低、成品率高,所制备的SiC基陶瓷具有均匀性好、致密度高、SiC含量高、残余硅含量低、热震性能好等优点。 | ||
搜索关键词: | sic 基复相 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种SiC基复相陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)将混合原料、分散剂、固化交联剂和酒精经机械搅拌,得到混合浆料,所述混合原料由炭黑、石墨和α‑SiC陶瓷粉组成;(2)将步骤(1)所得的混合浆料干燥、粉碎,得到混合粉末;(3)将步骤(2)所得的混合粉末经模压成型,再等静压成型,最后固化交联,得到成型素坯;(4)对步骤(3)所得的成型素坯进行气相渗硅烧结,得到SiC基复相陶瓷。
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