[发明专利]SiC基复相陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711460400.0 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN109020552B 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 刘荣军;孙海侠;贺鹏博;曹英斌;王衍飞;郭棒 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: C04B35/573 分类号: C04B35/573;C04B35/622;C04B35/634
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 张鲜
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种SiC基复相陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)将混合原料、分散剂、固化交联剂和酒精经机械搅拌,得到混合浆料,所述混合原料由炭黑、石墨和α‑SiC陶瓷粉组成;(2)将步骤(1)所得的混合浆料干燥、粉碎,得到混合粉末;(3)将步骤(2)所得的混合粉末经模压成型,再等静压成型,最后固化交联,得到成型素坯;(4)对步骤(3)所得的成型素坯进行气相渗硅烧结,得到SiC基复相陶瓷。该制备方法操作简单、工艺要求低、成品率高,所制备的SiC基陶瓷具有均匀性好、致密度高、SiC含量高、残余硅含量低、热震性能好等优点。
搜索关键词: sic 基复相 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种SiC基复相陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)将混合原料、分散剂、固化交联剂和酒精经机械搅拌,得到混合浆料,所述混合原料由炭黑、石墨和α‑SiC陶瓷粉组成;(2)将步骤(1)所得的混合浆料干燥、粉碎,得到混合粉末;(3)将步骤(2)所得的混合粉末经模压成型,再等静压成型,最后固化交联,得到成型素坯;(4)对步骤(3)所得的成型素坯进行气相渗硅烧结,得到SiC基复相陶瓷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学,未经中国人民解放军国防科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711460400.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code