[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711462014.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108091700A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，制造方法包括：第一道光刻工艺，在衬底上形成第一金属层，采用第一光罩及第一光阻层刻蚀形成栅极；第二道光刻工艺，在衬底及栅极上形成栅绝缘层及第二金属层，采用第二光罩及第二光阻层刻蚀形成有源层沟道及位于有源层沟道两侧的源极和漏极，在有源层沟道内及第二光阻层表面沉积形成有源层，剥离第二光阻层，保留在有源层沟道内的有源层；第三道光刻工艺，在有源层、源极和漏极上方形成钝化层，采用第三光罩及第三光阻层在钝化层上刻蚀形成过孔；第四道光刻工艺，在钝化层上方及过孔内形成第三金属层，采用第四光罩及第四光阻层刻蚀第三金属层，形成与源极或漏极电性连接的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 光阻层 沟道 光罩 刻蚀 钝化层 漏极 源极 薄膜晶体管 金属层 衬底 制造 第二金属层 第一金属层 表面沉积 电性连接 栅绝缘层 电极 阻层 剥离 保留 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：第一道光刻工艺，在衬底上形成第一金属层，采用第一光罩及第一光阻层刻蚀形成栅极；第二道光刻工艺，在衬底及栅极上形成栅绝缘层及第二金属层，采用第二光罩及第二光阻层刻蚀形成有源层沟道及位于有源层沟道两侧的源极和漏极，在有源层沟道内及第二光阻层表面沉积形成有源层，剥离第二光阻层，保留在有源层沟道内的有源层；第三道光刻工艺，在有源层、源极和漏极上方形成钝化层，采用第三光罩及第三光阻层在钝化层上刻蚀形成过孔；第四道光刻工艺，在钝化层上方及过孔内形成第三金属层，采用第四光罩及第四光阻层刻蚀第三金属层，形成与源极或漏极电性连接的电极。
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