[发明专利]一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺

摘要

本发明公开了一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺，属于集成电路封装技术领域。本发明高可靠性引线框架加工工艺为，先将引线框架进行常规的脱脂、活化、中和、镀铜、预镀银、镀银和退银工序处理，然后将退银后的引线框架依次进行微蚀、再次活化、铜面处理、阳极清洗、银面处理、银保护工序处理后即得。本发明加工工艺通过对引线框架上铜面和和银面的处理，增大了封装过程中塑封料和底材的结合力，集成电路封装后不易分层，从而提高了封装后集成电路的可靠性；经过多次的生产线验证，封装后集成电路可以100%通过一级可靠性测试，能够满足高可靠性集成电路的生产要求。

主权项

1.一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺，其特征在于：先将引线框架进行常规的脱脂、活化、中和、镀铜、预镀银、镀银和退银工序处理，然后将退银后的引线框架依次进行微蚀、再次活化、铜面处理、阳极清洗和银面处理，最后进行常规的银保护处理，其中：/n所述微蚀过程为通过腐蚀去除引线框架表面的镀铜层，使引线框架表面微观粗化，腐蚀深度为0.2-0.4μm；/n铜面处理过程为通过腐蚀及氧化引线框架，在引线框架表面形成一层棕色氧化层；具体操作为：在30-40℃下，在引线框架加工中依次加入以下五种试剂进行反应：苯并三唑的硫酸溶液，浓度230-270 mL/L，其中苯并三唑的浓度为35g/L，硫酸浓度为15 mL /L；硫酸氢钠与氟化钠的氢氟酸溶液，浓度190-230g/L，其中硫酸氢钠浓度为220 g/L，氟化钠的浓度为50 g/L，氢氟酸浓度为15 mL/L；硫酸和硝酸的混合溶液，浓度180-220 mL/L，其中硫酸浓度为125 mL/L，硝酸浓度为40 mL/L；苯并三唑的硫酸溶液，浓度15-25 g/L，其中苯并三唑浓度为25 g/L，硫酸浓度为150 mL/L；过氧化氢水溶液浓度30-40 mL/L；/n阳极清洗过程为通过电解清洗掉引线框架表面的铜粉；/n银面处理过程为通过阴极电解使引线框架的银表面氧化，在银面形成一层1.5-2.5nm的氧化层，具体操作为：在110-150A的电流和40-50℃的温度下，使用浓度为450-550g/L偏硅酸钠、氢氧化钠和碳酸钠的混合水溶液对引线框架进行阴极电解，其中偏硅酸钠的浓度为175g/L，氢氧化钠的浓度为45g/L，碳酸钠的浓度为140 g/L。/n