[发明专利]一种圆片级背金芯片的封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201711463806.4 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN107910305B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 陈海杰;陈栋;胡正勋;孙超;张黎;陈锦辉;赖志明 申请(专利权)人: 江阴长电先进封装有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/492;H01L21/56;H01L21/683
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 赵华
地址: 214400 江苏省无锡市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种背金芯片的封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其硅基本体的正面设有若干个芯片电极和正面保护层,该正面保护层开设正面保护层开口再次露出芯片电极,芯片电极的上表面设置金属凸点。该硅基本体的背面设有背金层,该背金层通过背金粘结层与硅基本体的背面粘合连接。塑封层包封背金层和硅基本体的裸露面,并开设塑封层开口露出背金层背面裸露面。本发明的封装流程简单,所涉及的硅表面处理工艺、背金工艺、塑封料烧蚀和解键合工艺均是在圆片上完成,符合半导体制造未来的发展方向。
搜索关键词: 一种 圆片级背金 芯片 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
一种圆片级背金芯片的封装结构,其硅基本体的正面设有若干个芯片电极和功能感应区以及芯片绝缘层,所述芯片绝缘层覆盖硅基本体并露出芯片电极,其特征在于,所述芯片绝缘层覆盖硅基本体的划片道的残余部分并向外侧延伸,形成芯片绝缘层延伸部,还包括正面保护层和塑封层,所述正面保护层覆盖芯片绝缘层并开设正面保护层开口再次露出芯片电极,在所述芯片电极的上表面设置金属凸点,所述金属凸点露出正面保护层,在所述硅基本体的背面依次设置背金粘结层和铜层,形成背金层,所述背金粘结层的厚度大不大于2微米,所述背金层的厚度大于5微米,所述背金层通过背金粘结层与硅基本体的背面粘合连接,所述塑封层包封背金层和硅基本体的裸露面至芯片绝缘层延伸部,并开设塑封层开口,所述塑封层开口局部或全部露出背金层背面,所述背金层背面的裸露面继续与埋在PCB板/基板中的其他IC做互联。
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