[发明专利]一种大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法有效
| 申请号： | 201711464718.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108314993B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 金名亮;卢涵;水玲玲;周国富 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | C09K3/18 | 分类号： | C09K3/18;C23F1/24;C23F1/02;C23C30/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，包括以下步骤：在(100)晶向的单晶硅片上旋涂一层光刻胶；在此硅片上制备光刻胶图形阵列；在光刻胶图形阵列表面镀一层金属膜；移除光刻胶和镀在光刻胶上的金属膜，得到带有金属网格图形的单晶硅片；将此的单晶硅片放入氢氟酸和双氧水的混合溶液中进行金属辅助蚀刻，形成多孔硅膜；将多孔硅膜冲洗干净，干燥，使得多孔硅膜自行剥离；用有粘性的柔性基底粘附多孔硅膜，得到大面积柔性疏水多孔硅膜；其中，单晶硅片电阻率为0.001~0.005Ω·cm。本发明生产成本低，工艺简单，该方法制备出的多孔硅膜为柔性疏水的，疏水效果好，可粘附在任意材料、任意形状的基底上，可剪裁成任意形状，并且保持硅原有性能；具有巨大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 柔性 疏水 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1. 在 (100) 晶向的单晶硅片上旋涂一层光刻胶；S2. 通过光刻技术利用掩膜在此硅片上制备光刻胶图形阵列；S3. 在制备的光刻胶图形阵列表面镀一层金属膜；S4. 移除光刻胶和镀在光刻胶上的金属膜，得到带有金属网格图形的单晶硅片；S5. 将带有金属网格图形的单晶硅片放入氢氟酸和双氧水的混合溶液中进行金属辅助蚀刻，形成多孔硅膜；S6. 将多孔硅膜冲洗干净，干燥，使得多孔硅膜自行剥离；S7. 用有粘性的柔性基底粘附多孔硅膜，得到大面积柔性疏水多孔硅膜；其中，所述单晶硅片电阻率为0.001~0.005 Ω·cm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肇庆市华师大光电产业研究院，未经肇庆市华师大光电产业研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711464718.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种纳米密封摩擦材料及其制备方法
- 下一篇：一种石蜡基相变纳米乳液的制备方法
