[发明专利]一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法及装置

摘要

本发明公开了一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法及装置，该金属半导体界面复合电流密度的测试方法包括：提供测试样品组，所述测试样品为具有第一表面和第二表面的第一态样品；检测第一态样品中第一表面的第一电流密度；在第一表面上形成第一金属层，以形成第二态样品；第一金属层包括N个相似的金属图案，不同所述金属图案对应的第一面积比不同；检测第二态样品中各金属图案对应的第二电流密度；基于第一电流密度、各金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度。本发明提供的方案实现了简单快速地进行金属半导体界面复合电流密度测试，且测试结果真实准确的效果。

主权项

1.一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法，其特征在于，包括：提供测试样品组，所述测试样品组包括M个测试样品，所述测试样品为具有第一表面和第二表面的第一态样品，其中，所述测试样品为半导体样品，所述第一表面是P型衬底中N区所在一侧，所述第二表面为P型衬底中P区所在一侧；或者，所述第一表面是或N型衬底中P区所在一侧，所述第二表面为P型衬底中P区所在一侧或N型衬底中N区所在一侧；检测所述第一态样品中所述第一表面的第一电流密度；在所述测试样品的所述第一表面上形成第一金属层，以形成第二态样品；所述第一金属层包括N个相似的金属图案，所述金属图案的面积与对应的轮廓图形的面积之比为第一面积比，不同所述金属图案对应的所述第一面积比不同；检测所述第二态样品中各所述金属图案对应的第二电流密度；基于所述第一态样品中所述第一表面的第一电流密度、所述第二态样品中各所述金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度；其中，M和N均为大于或等于1的整数，且M和N不同时等于1。