[发明专利]一种晶圆的电容测试方法和测试装置有效
| 申请号： | 201711465714.X | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108152599B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王俊美;郝瑞庭;尹诗龙 | 申请（专利权）人： | 北京华峰测控技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100070 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆的电容测试方法和测试装置。测试方法包括获取对应晶圆第一测试位置处的误差寄生电容，误差寄生电容为电容测试设备中测试线路的寄生电容；获取第一测量电容；根据晶圆第一测试位置处的误差寄生电容和第一测量电容获取晶圆第一测试位置处的实际被测电容；更新晶圆第一测试位置处的误差寄生电容至晶圆第二测试位置处的误差寄生电容；获取第二测量电容；根据更新后的误差寄生电容和第二测量电容获取晶圆第二测试位置处的实际被测电容，直至获取晶圆的所有测试位置的实际被测电容。通过本发明的技术方案，提高了晶圆各测试位置的实际电容的测试准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆的电容测试方法，其特征在于，包括：获取对应所述晶圆第一测试位置处的误差寄生电容，所述误差寄生电容为电容测试设备中测试线路的寄生电容；测量所述晶圆第一测试位置处的电容，获取第一测量电容；根据对应所述晶圆第一测试位置处的误差寄生电容和所述第一测量电容获取所述晶圆第一测试位置处的实际被测电容；更新对应所述晶圆第一测试位置处的误差寄生电容至对应所述晶圆第二测试位置处的误差寄生电容；测量所述晶圆第二测试位置处的电容，获取第二测量电容；根据更新后的所述误差寄生电容和所述第二测量电容获取所述晶圆第二测试位置处的实际被测电容，直至获取所述晶圆的所有测试位置的实际被测电容。
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