[发明专利]制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法有效
| 申请号： | 201711467108.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108193276B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 孟军华;张兴旺;尹志岗;吴金良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/64;C30B23/02;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法，其包括如下步骤：在氧化镁MgO(111)单晶衬底上外延一预定厚度的过渡金属单晶薄膜，形成样品；将样品置于离子束溅射沉积系统的腔室内，抽真空，然后在氢气气氛中升温并原位退火；关闭氢气，使离子束溅射沉积系统内的腔室恢复至真空环境，然后向腔室内通入氩气；利用离子源轰击置于离子束溅射沉积系统腔室内的高纯氮化硼靶材，使得溅射的硼、氮原子在样品表面沉积，生长形成六方氮化硼二维原子晶体；降温，最终得到单一取向的六方氮化硼单晶畴。本发明可以制备出单一取向的h‑BN晶畴，具有制备工艺简单，可控性好，成本低，且副产物无毒无害，有助于实现制备大尺寸、高质量h‑BN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 大面积 单一 取向 氮化 二维 原子 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法，其包括如下步骤：步骤1、在氧化镁MgO(111)单晶衬底上外延一预定厚度的过渡金属单晶薄膜，形成样品；步骤2、将样品置于离子束溅射沉积系统的腔室内，抽真空，然后在氢气气氛中升温并原位退火；步骤3、关闭氢气，使离子束溅射沉积系统内的腔室恢复至真空环境，然后向腔室内通入氩气；步骤4、利用离子源轰击置于离子束溅射沉积系统腔室内的高纯氮化硼靶材，使得溅射的硼、氮原子在样品表面沉积，生长形成六方氮化硼二维原子晶体；步骤5、降温，最终得到单一取向的六方氮化硼单晶畴。
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