[发明专利]一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法有效

专利信息
申请号: 201711467340.5 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108091552B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 李若松;黄翀 申请(专利权)人: 长沙新材料产业研究院有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;B81C1/00
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 郭立中
地址: 410205 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法,先以遮光基材为原料,在透光的衬底材料的一表面上制备遮光基材层,在该遮光基材层上制备凹凸微纳米结构图案;在凹凸微纳米结构图案的凹槽中填充掩膜材料;再使用高能光束透过透光衬底,使凹槽中填充的掩膜材料固化,形成掩膜层;对遮光基材和衬底材料进行刻蚀;去除掩膜层,在衬底材料上获得微纳米结构图案。本发明的制作方法成本低,不需要使用蒸镀等高耗能方法制备掩膜层;可以简单、低能耗、高效率地制备厚度较大的掩膜层,大大降低高深宽比微纳米结构图案制备的困难度。
搜索关键词: 一种 透光 衬底 制备 纳米 结构 图案 方法
【主权项】:
1.一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)以遮光基材为原料,在透光的衬底材料的一表面上制备遮光基材层,在该遮光基材层上制备凹凸微纳米结构图案;(2)在步骤(1)中凹凸微纳米结构图案的凹槽中填充掩膜材料;(3)使用高能光束透过透光衬底,使凹槽中填充的掩膜材料固化,形成掩膜层;(4)对遮光基材和衬底材料进行刻蚀;(5)去除掩膜层,在衬底材料上获得微纳米结构图案。
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