[发明专利]液体供应单元、基板处理装置及去除气泡的方法有效
申请号: | 201711469016.7 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108269749B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 方炳善;柳镇泽;崔英骏;金钟翰;张瑛珍 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/04;B08B3/08 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于对基板进行液体处理的装置和方法。该基板处理装置包括:液体供应单元,其被构造成将混合有第一液体和第二液体的处理液体供应到基板单元上,其中该液体供应单元包括:喷嘴,其被构造成排出处理液体;第一液体供应管线,其将第一液体供应到该喷嘴;以及第二液体供应管线,其将第二液体供应到该喷嘴,并且该喷嘴包括:主体,其在其内部具有供第一液体和第二液体混合的混合空间以及从混合空间延伸的缓冲空间;以及碰撞构件,其位于缓冲空间中且被构造为降低被供应到缓冲空间的处理液体的流速。 | ||
搜索关键词: | 液体 供应 单元 处理 装置 去除 气泡 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,包括:基板支撑单元,其被构造为支撑基板;和液体供应单元,其被构造为将其中混合有第一液体和第二液体的处理液体供应到由所述基板支撑单元支撑的所述基板上,其中所述液体供应单元包括:喷嘴,其被构造成排出所述处理液体;第一液体供应管线,其被构造成将所述第一液体供应到所述喷嘴;以及第二液体供应管线,其被构造成将所述第二液体供应到所述喷嘴,其中所述喷嘴包括:主体,其在其内部具有供所述第一液体和所述第二液体混合的混合空间和从所述混合空间延伸的缓冲空间;和碰撞构件,其位于所述缓冲空间内并且被构造为降低被供应到所述缓冲空间的所述处理液体的流速。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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