[发明专利]一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法有效
申请号: | 201711469513.7 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108217629B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 李树丰;张鑫;张昂昂;潘登 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C01B32/168 | 分类号: | C01B32/168;D06M11/77;D06M101/40 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 蒋姝泓 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法,通过同步超声分散和机械搅拌,在PVP乙醇溶液中将特定比例的纳米硅粉均匀粘附于CNTs表面,然后通过原位反应在CNTs表面生成一层纳米级厚度的SiC,形成具有芽杆或壳芯结构的SiC/CNTs复合材料。本发明方法制备的SiC/CNTs材料不破坏CNTs的结构,且能保证CNTs和SiC的分散均匀性,在基体材料中将减少CNTs与基体之间的直接接触,调控CNTs与基体之间的界面反应,增强CNTs与基体之间的界面结合,在提高金属基体力学性能的同时保留基体良好的导电、导热以及高延性。 | ||
搜索关键词: | 制备 表面原位生成 纳米SiC 导热 复合 分散均匀性 超声分散 基体材料 机械搅拌 界面反应 界面结合 金属基体 力学性能 纳米硅粉 原位反应 复合材料 高延性 纳米级 导电 壳芯 粘附 调控 保留 保证 | ||
【主权项】:
1.一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将分散粘合剂聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)分散于无水乙醇中,得到PVP无水乙醇分散液;步骤2,将CNTs和纳米硅粉加入PVP无水乙醇分散液中,分散均匀并过滤,取滤出的混合粉末干燥;所述CNTs和纳米硅粉的体积比为0.5~10;步骤2中所述分散采用超声分散和机械搅拌同步进行,超声分散时长为0.5~3h,机械搅拌时间为0.5~3h,转速为50~200转/分钟;步骤3,将混合粉末置于热处理炉中,在真空环境或者惰性气体保护下进行热处理,热处理温度1100~1300℃,热处理时间为1~3h,通过热处理过程中发生的原位反应在CNTs表面合成具有不同结构的纳米SiC。
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