[发明专利]量子点薄膜及其制备方法和QLED器件在审
| 申请号： | 201711470083.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109988552A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/66;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点薄膜，含有量子点，所述量子点表面的结合有硫醇配体，且所述量子点表面还结合有阴离子。本发明通将量子点薄膜中的量子点表面结合阴离子，这样能有效降低硫醇配体与量子点表面的金属元素的结合率，进而有效降低量子点表面硫醇配体流动带动量子点表面金属原子流动造成的表面缺陷，从而提高量子点薄膜的荧光强度，改善器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 量子点表面 薄膜 硫醇 配体 阴离子 制备 表面缺陷 发光效率 金属元素 金属原子 结合率 荧光 流动 | ||
【主权项】：
1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一量子点溶液，所述第一量子点溶液中含有表面结合有初始配体的量子点；提供阴离子前驱体，将所述阴离子前驱体加入到所述第一量子点溶液中，进行钝化处理，得到第二量子点溶液；提供硫醇配体，将所述硫醇配体加入到所述第二量子点溶液中，进行表面配体交换，得到第三量子点溶液；将所述第三量子点溶液沉积在基片上，得到所述量子点薄膜。
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