[发明专利]一种利用XRF荧光光谱仪测定二氧化硅含量的方法

摘要

本发明公开了一种利用XRF荧光光谱仪测定二氧化硅含量的仪器分析方法，其特征在于：可分析的样品类型多。对固体、液体、松散粉末、压片、玻璃熔融片、滤纸等多种类型样品都可直接进行分析。该方法用来确定样品中已知元素的浓度。本方法采用二氧化硅为标准样品，以氧化铝为基体在XRF仪器上建立标准曲线，得出标准曲线的回归方程，通过该回归方程计算得到二氧化硅含量。本发明能够实现快速检测陶粒中二氧化硅含量，精密度高，处理方便，节省化学分析试剂等优点，操作便捷准确。

主权项

1.一种XRF荧光光谱仪测定陶粒中二氧化硅含量的方法，其特征在于，采用XRF荧光光谱仪进行检测、外标定量，具体步骤如下：(1)配制标准样品，标准样品由二氧化硅和氧化铝组成，其中二氧化硅所占样品质量比例分别为10％、20％、25％、30％、35％、40％、50％、60％、70％、80％、90％，所有标准样品在配制前均在105摄氏度烘箱中干燥至恒重；(2)取步骤(1)配制的标准样品，全部进行精确研磨，研磨后压制成片；利用XRF荧光光谱仪进行分析，利用仪器自带的标准曲线制作程序制作标准曲线，采用外标法绘制二氧化硅含量标准曲线.C＝D+ERM其中C为式样含量；D为校准曲线截距；E为校准曲线斜率；R为常量因子系数；M为基体强度；(3)标准曲线漂移校正：进入XRF建立曲线界面，输入漂移校正程序名称并选择相对应的道组，进入漂移校正界面设定相应的参数测量；(4)制备陶粒样品压片，利用XRF荧光光谱仪进样分析，调出相应的标准曲线直接运行检测程序，记录结果。