[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成存储单元、选择栅和逻辑栅；形成第一间隙壁材料层；在第一间隙壁材料层上形成第二间隙壁材料层，第二间隙壁材料层密封相邻的存储单元之间以及存储单元和选择栅之间顶部区域的开口，以在相邻的存储单元之间以及存储单元和选择栅之间形成空气隙；形成第三间隙壁材料层；执行刻蚀工艺，以在选择栅和逻辑栅的侧壁上形成间隙壁。该制作方法可以克服字线倾斜/弯曲问题，降低快闪存储器的线字线之间的干扰和串扰问题，从而提高快闪存储器的性能，以及循环周期/读写次数。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括核心区和外围区，在所述半导体衬底的核心区上形成有存储单元和选择栅，在所述半导体衬底的外围区上形成有逻辑栅，所述存储单元包括依次堆叠设置的浮栅、隔离层和控制栅；在所述存储单元、所述选择栅和所述逻辑栅的侧壁和顶部上形成第一间隙壁材料层；在所述存储单元、所述选择栅和所述逻辑栅的顶部以及侧壁的顶部区域形成第二间隙壁材料层，所述第二间隙壁材料层密封相邻的所述存储单元之间以及所述存储单元和所述选择栅之间顶部区域的开口，以在相邻的所述存储单元之间以及所述存储单元和所述选择栅之间形成空气隙；形成覆盖所述存储单元、所述选择栅、所述逻辑栅和所述半导体衬底的第三间隙壁材料层；刻蚀所述第一间隙壁材料层、所述第二间隙壁材料层和所述第三间隙壁材料层，以在所述选择栅和所述逻辑栅的侧壁上形成间隙壁。