[发明专利]一种集成型成像传感器及其制备方法有效
申请号: | 201711471761.5 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108511469B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 郑纪元 | 申请(专利权)人: | 郑纪元 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100082 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成型成像传感器及其制备方法,包括:雪崩光电探测器阵列、读出电路、微纳光栅(micro‑polarizer)和纳米鳍(nano‑fin)阵列超棱镜(metalens)结构,探测器采用倒装结构,下表面布置n型与p型欧姆电极并与图像信号读取电路相连接,上表面是半导体材料外延基底。超棱镜集成在外延基底之上。微纳光栅阵列分布在超棱镜之上。所述微纳光栅阵列可将入射的非偏振光(比如自然光)转变成偏振光,随后传递给超棱镜聚焦;所述超棱镜具备焦距超短,相差极小的优点,可以将物象清晰的成在传感器阵列上;所述成像传感器具有高灵敏和高集成的特征。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 成像 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的