[发明专利]一种集成型成像传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711471761.5 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108511469B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 郑纪元 申请(专利权)人: 郑纪元
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100082 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种集成型成像传感器及其制备方法,包括:雪崩光电探测器阵列、读出电路、微纳光栅(micro‑polarizer)和纳米鳍(nano‑fin)阵列超棱镜(metalens)结构,探测器采用倒装结构,下表面布置n型与p型欧姆电极并与图像信号读取电路相连接,上表面是半导体材料外延基底。超棱镜集成在外延基底之上。微纳光栅阵列分布在超棱镜之上。所述微纳光栅阵列可将入射的非偏振光(比如自然光)转变成偏振光,随后传递给超棱镜聚焦;所述超棱镜具备焦距超短,相差极小的优点,可以将物象清晰的成在传感器阵列上;所述成像传感器具有高灵敏和高集成的特征。
搜索关键词: 一种 集成 成像 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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