[发明专利]读写SRAM的电路及SRAM数据访问方法有效
| 申请号： | 201711472366.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108053856B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王黎明;古生霖;贾红;韦嶔;程显志;陈维新 | 申请（专利权）人： | 西安智多晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/418 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种读写SRAM的电路及SRAM数据访问方法。该电路包括：地址/数据控制模块、地址移位链、数据移位链及SRAM存储器阵列，地址/数据控制模块接收时钟信号和串行数据，用于在时钟信号内对串行数据进行译码并输出移位指令；地址移位链连接至地址/数据控制模块，用于接收地址/数据控制模块的移位指令进行地址移位操作；数据移位链连接至地址/数据控制模块，用于接收所述地址/数据控制模块的移位使能信号进行数据移位操作或用于传输SRAM存储器的串行数据；SRAM存储器阵列分别连接至地址移位链和数据移位链。本发明的读写控制信号的产生是通过指令译码完成，电路中采用同一时钟域多级寄存器流水的方式实现，提高电路工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 读写 sram 电路 数据 访问 方法 | ||
【主权项】：
1.一种读写SRAM的电路，其特征在于，包括：地址/数据控制模块、地址移位链、数据移位链及SRAM存储器阵列，其中，所述地址/数据控制模块接收时钟信号和串行数据，用于在所述时钟信号内对所述串行数据进行译码并输出移位使能信号；所述地址移位链连接至所述地址/数据控制模块，用于接收所述地址/数据控制模块的移位使能信号进行地址移位操作；所述数据移位链连接至所述地址/数据控制模块，用于接收所述地址/数据控制模块的移位使能信号或用于传输SRAM存储器的所述串行数据，进行数据移位操作；所述SRAM存储器阵列分别连接至所述地址移位链和所述数据移位链，用于根据所述地址移位链的地址及所述数据移位链的移位指令读写数据。
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