[发明专利]一种多片碳化硅热解石墨烯制备方法在审
| 申请号： | 201711474197.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107954418A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 袁振洲;刘欣宇 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多片碳化硅热解石墨烯制备方法，所述方法包括如下步骤1)将多片SiC衬底清洗后置于退火架上；2)采用SiC高温热分解法，在所述SiC衬底的表面生长厚度均匀的石墨烯。本发明根据SiC热分解原理，通过退火工装结构设计与温场模拟，工装结构可同时放置多片碳化硅衬底，通过模拟设计工装尺寸与坩埚保温结构，使得衬底径向温度梯度小于0.1℃/mm，使得退火过程温度梯度小，可以同时在多片碳化硅获得厚度均匀的石墨烯。本发明工艺过程成本低、简单易操作，重复性好，适合工业化生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)将多片SiC衬底清洗后置于退火架上；2)采用SiC高温热分解法，在所述SiC衬底的表面生长厚度均匀的石墨烯。
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