[发明专利]铈掺杂氧化锰电极、其制备方法及用途有效
| 申请号： | 201711474256.6 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108128853B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘守清;张行;马楫;朱国营;沈培新 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/46 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种铈掺杂氧化锰电极、其制备方法及应用。所述的制备方法包括：将经过前处理的钛网于含有Ce |
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| 搜索关键词： | 掺杂 氧化锰 电极 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种铈掺杂氧化锰电极的制备方法，其特征在于包括：将经过前处理的钛网于含有摩尔比为1：20～1：5的Ce3+及Mn2+的浸渍液中浸渍，之后取出并进行干燥处理，直至钛网表面无明显液体，其后将钛网于350～550℃保温1～5h，制得所述铈掺杂氧化锰电极。
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