[发明专利]一种激光晶化制备多晶硅薄膜的方法及所得的产品和薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201711475161.6 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108172503B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;徐先新;张鑫磊;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 杨利娟 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及TFT薄膜晶体管的技术领域，尤其涉及一种激光晶化制备多晶硅薄膜的方法及所得的产品和薄膜晶体管。制备步骤为：S1、在玻璃基板上形成热敏电阻层；S2、在热敏电阻层上形成非晶硅层；S3、用激光脉冲照射晶化步骤S2的非晶硅膜层，同时采用电加热或者电磁加热的方法给热敏电阻层加热，使非晶硅层转化为多晶硅层。所述步骤S1前还包括在玻璃基板上形成隔离层的过程，所述的隔离层是氧化硅和氮化硅中的一种或两种。本发明所得的多晶硅薄膜具有晶粒均匀度好、晶粒密度一致性好、晶粒迁移率和稳定性好的特点。本发明所得的薄膜晶体管具有无斑点、光亮度均匀、电性能好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 制备 多晶 薄膜 方法 所得 产品 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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