[发明专利]一种发光器件的制备方法有效
| 申请号： | 201711476491.7 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994654B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张滔;向超宇;李乐;辛征航;王雄志 | 申请（专利权）人： | 深圳TCL工业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L27/32;H01L51/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件的制备方法，包括：提供初始像素界定层，所述初始像素界定层包括像素界定区、第一像素界定层和位于第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第一像素界定层的横截面呈正梯形，所述第二像素界定层的横截面呈倒梯形，所述第二像素界定层由形状记忆聚合物组成；将横截面呈倒梯形的第二像素界定层变形处理至横截面呈正梯形的第二像素界定层，得变形像素界定层；通过溶液法在变形像素界定层的像素界定区沉积第一功能层；在沉积第一功能层后，将呈横截面正梯形的第二像素界定层恢复至横截面呈倒梯形的第二像素界定层，使变形像素界定层恢复为初始像素界定层，通过蒸镀法在所述初始像素界定层的像素界定区沉积第二功能层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供初始像素界定层，所述初始像素界定层包括像素界定区、第一像素界定层和位于所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第一像素界定层的横截面呈正梯形，所述第二像素界定层的横截面呈倒梯形，所述第二像素界定层由形状记忆聚合物组成；将横截面呈倒梯形的第二像素界定层变形处理至横截面呈正梯形的第二像素界定层，得到变形像素界定层；通过溶液法在变形像素界定层的像素界定区沉积第一功能层；在沉积第一功能层后，将所述横截面呈正梯形的第二像素界定层恢复至所述横截面呈倒梯形的第二像素界定层，使得变形像素界定层恢复为初始像素界定层，通过蒸镀法在所述初始像素界定层的像素界定区沉积第二功能层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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