[发明专利]单向低电容TVS器件及其制造方法

摘要

公开了一种单向低电容TVS器件及其制造方法中，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与稳压二极管纵向串联，降低单向低电容TVS器件的体积。相较于现有技术的单向低电容TVS器件能够较大地减小电容，使电源Vcc对地GND的电容可以达到小于0.6pF，正、反向ESD能力都可以达到大于15kV。

主权项

1.一种单向低电容TVS器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层形成于所述第一导电类型衬底上；第一导电类型埋层，所述第一导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层中；第二导电类型埋层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型埋层上；第二导电类型外延层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层上；多个隔离结构，所述多个隔离结构贯穿所述第二导电类型外延层，所述多个隔离结构将所述第二导电类型外延层分为多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域；第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区形成于所述第二区域中；第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区形成于所述第一区域中。