[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201711479910.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108281514B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;魏晓骏;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层，所述多量子阱层包括交替生长的多个量子阱和多个量子垒；在每个所述量子阱生长之前，控制温度为900℃～1300℃，采用氨气对所述量子阱的生长表面进行处理，使所述量子阱以氮极性表面进行生长。本发明通过使量子阱以氮极性表面进行生长，由于氮极性表面比金属极性表面的形貌更为凹凸不平，降低欧姆接触电阻，有效减少量子阱在发光过程中的发热，在一定程度上抑制了量子阱温度的升高，避免发光二极管的发光效率衰减，从而提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层，所述多量子阱层包括交替生长的多个量子阱和多个量子垒；其特征在于，所述制备方法还包括：在每个所述量子阱生长之前，控制温度为900℃～1300℃，采用氨气对所述量子阱的生长表面进行处理，使所述量子阱以氮极性表面进行生长。
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